制造商型号： | IXTX200N10L2 |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTX200N10L2
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IXTX200N10L2 中文资料
数据手册PDF
IXTX200N10L2 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 Linear L2
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 11 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 540 nC
耗散功率 1.04 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导（Min） 55 S
上升时间 225 ns
典型关闭延迟时间 127 ns
典型接通延迟时间 40 ns
外形参数
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Linear L2 Power MOSFET
单位重量 6 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 247.644488 | 247.64 |
| 10 | 228.380966 | 2283.81 |
| 100 | 195.019177 | 19501.92 |
品牌其他型号
IXTX200N10L2品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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