IXTQ160N10T
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTQ160N10T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 430W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 160A
输入电容Ciss 6600pF @25VVds
耗散功率Max 430W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTQ160N10T引脚图与封装图
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在线购买IXTQ160N10T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTQ160N10T | IXYS Semiconductor | TO-3P N-CH 100V 160A | 搜索库存 |
替代型号IXTQ160N10T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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