锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXTA160N10T、IXTQ160N10T、IXTH160N10T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA160N10T IXTQ160N10T IXTH160N10T

描述 MOSFET N-CH 100V 160A TO-263TO-3P N-CH 100V 160ATrans MOSFET N-CH 100V 160A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

耗散功率 430W (Tc) 430W (Tc) 430 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds) 6600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 430W (Tc) 430W (Tc) 430W (Tc)

上升时间 - - 61 ns

额定功率(Max) - - 430 W

下降时间 - - 42 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 160A -

封装 TO-263-3 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free