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IXFQ28N60P3

IXFQ28N60P3

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IXYS Semiconductor 分立器件

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列

一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 600V 28A TO3P


欧时:
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ28N60P3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装


立创商城:
IXFQ28N60P3


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# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFQ28N60P3  MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-3P New


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MOSFET N-CH 600V 28A TO3P


IXFQ28N60P3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.26 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 695 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 28A

输入电容Ciss 3560pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 695W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 15.8 mm

宽度 4.9 mm

高度 20.3 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

IXFQ28N60P3引脚图与封装图
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在线购买IXFQ28N60P3
型号 制造商 描述 购买
IXFQ28N60P3 IXYS Semiconductor N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 搜索库存
替代型号IXFQ28N60P3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFQ28N60P3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-3P-3 N-Channel 600V 28A

当前型号

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

当前型号

型号: IXFH28N60P3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247 N-Channel 600V 28A

完全替代

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH28N60P3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 28 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 V

IXFQ28N60P3和IXFH28N60P3的区别

型号: IXTQ26N60P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-3P-3 N-CH 600V 26A 4.15nF

类似代替

TO-3P N-CH 600V 26A

IXFQ28N60P3和IXTQ26N60P的区别

型号: IXTH26N60P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247 N-CH 600V 26A 4.15nF

功能相似

N沟道 600V 26A

IXFQ28N60P3和IXTH26N60P的区别