IXFH28N60P3、IXFQ28N60P3、IXFV26N60P对比区别
型号 IXFH28N60P3 IXFQ28N60P3 IXFV26N60P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH28N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 28 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备PLUS N-CH 600V 26A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.26 Ω 0.26 Ω 270 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 695 W 695 W 460 W
阈值电压 5 V 5 V 5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 28A 28A 26.0 A
上升时间 18 ns - 27 ns
输入电容(Ciss) 3560pF @25V(Vds) 3560pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds)
下降时间 19 ns - 21 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 695W (Tc) 695W (Tc) 460W (Tc)
通道数 - 1 1
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 26.0 A
输入电容 - - 4.15 nF
栅电荷 - - 72.0 nC
漏源击穿电压 - - 600 V
长度 16.26 mm 15.8 mm 11 mm
宽度 5.3 mm 4.9 mm 4.7 mm
高度 21.46 mm 20.3 mm 15 mm
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2016/06/20 -