制造商型号: | IXFQ28N60P3 |
制造商: | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 28A TO3P |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXFQ28N60P3
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IXFQ28N60P3 中文资料
数据手册PDF
IXFQ28N60P3 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 28 A
漏源电阻 260 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 50 nC
耗散功率 695 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 19 ns
正向跨导(Min) 30 S, 18 S
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
库存: 300
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 81.087486 | 81.09 |
10 | 73.215488 | 732.15 |
100 | 60.612007 | 6061.20 |
500 | 52.780259 | 26390.13 |
1000 | 45.969858 | 45969.86 |
2000 | 44.267376 | 88534.75 |
品牌其他型号
IXFQ28N60P3品牌厂家:IXYS
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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