锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXTA8N50P
IXYS Semiconductor 分立器件

IXTA8N50P 管装

N-Channel 500V 8A Tc 150W Tc Surface Mount TO-263 IXTA


得捷:
MOSFET N-CH 500V 8A TO263


立创商城:
N沟道 500V 8A


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXTA8N50P power MOSFET. Its maximum power dissipation is 150000 mW. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


富昌:
N-Channel 500 V 8 A 800 mΩ Surface Mount PolarHV Power Mosfet - TO-263


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab TO-263


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 150W; TO263


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK


IXTA8N50P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 8.00 A

耗散功率 150 W

栅电荷 20.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 1050 pF

下降时间 23 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTA8N50P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTA8N50P
型号 制造商 描述 购买
IXTA8N50P IXYS Semiconductor IXTA8N50P 管装 搜索库存
替代型号IXTA8N50P
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXTA8N50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-252-3 500V 8A

当前型号

IXTA8N50P 管装

当前型号

型号: IXTP8N50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-220 N-Channel 500V 8A 800mΩ 1.05nF

类似代替

Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin3+Tab TO-220AB

IXTA8N50P和IXTP8N50P的区别

型号: IXTA8PN50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: 500V 8A

类似代替

MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

IXTA8N50P和IXTA8PN50P的区别

型号: STB11NK50ZT4

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-Channel 500V 4.5A 480mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STB11NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 V

IXTA8N50P和STB11NK50ZT4的区别