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IXTA8N50P、IXTP8N50P、IXTA8PN50P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA8N50P IXTP8N50P IXTA8PN50P

描述 IXTA8N50P 管装Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220ABMOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 8.00 A 8.00 A 8.00 A

耗散功率 150 W 150 W -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8.00 A 8.00 A

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 800 mΩ -

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 5.5 V -

输入电容 - 1.05 nF -

栅电荷 20.0 nC 20.0 nC -

漏源击穿电压 - 500 V -

上升时间 28 ns 28 ns -

输入电容(Ciss) 1050 pF 1050pF @25V(Vds) -

下降时间 23 ns 23 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3

长度 - 10.66 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 16 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -