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IXTA8N50P、IXTA8PN50P、NTE2923对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA8N50P IXTA8PN50P NTE2923

描述 IXTA8N50P 管装MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAKTrans MOSFET N-CH 500V 8.8A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor NTE Electronics

分类 MOS管MOS管分立器件

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 8.00 A 8.00 A -

耗散功率 150 W - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8.00 A -

栅电荷 20.0 nC - -

上升时间 28 ns - -

输入电容(Ciss) 1050 pF - -

下降时间 23 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 150W (Tc) - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 -

产品生命周期 Obsolete Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 - - 85412900951