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IXKN40N60C

IXKN40N60C

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

SOT-227B N-CH 600V 40A

N-Channel 600V 40A Tc 290W Tc Chassis Mount SOT-227B


得捷:
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227B


富昌:
600V,40A CoolMOS, SOT-227B minibloc


IXKN40N60C中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 -

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 40A

上升时间 30 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXKN40N60C引脚图与封装图
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替代型号IXKN40N60C
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXKN40N60C

品牌: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227 N-CH 600V 40A

当前型号

SOT-227B N-CH 600V 40A

当前型号

型号: IXFN60N60

品牌: IXYS Semiconductor

封装: ISOTOP N-Channel 600V 60A 75mΩ

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IXKN40N60C和IXFN60N60的区别

型号: APT60M75JVR

品牌: 美高森美

封装: SOT-227 N-CH 600V 62A 19.8nF

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