极性 N-CH
耗散功率 -
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 40A
上升时间 30 ns
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Chassis
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXKN40N60C | IXYS Semiconductor | SOT-227B N-CH 600V 40A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXKN40N60C 品牌: IXYS Semiconductor 封装: SOT-227 N-CH 600V 40A | 当前型号 | SOT-227B N-CH 600V 40A | 当前型号 | |
型号: IXFN60N60 品牌: IXYS Semiconductor 封装: ISOTOP N-Channel 600V 60A 75mΩ | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFN60N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 V | IXKN40N60C和IXFN60N60的区别 | |
型号: APT60M75JVR 品牌: 美高森美 封装: SOT-227 N-CH 600V 62A 19.8nF | 功能相似 | SOT-227 N-CH 600V 62A | IXKN40N60C和APT60M75JVR的区别 |