IXFN60N60、IXKN40N60C、APT60M75JVR对比区别

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型号 IXFN60N60 IXKN40N60C APT60M75JVR

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFN60N60  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 A, 600 V, 75 mohm, 10 V, 4.5 VSOT-227B N-CH 600V 40ASOT-227 N-CH 600V 62A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Chassis Screw

引脚数 3 4 4

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 600 W - 700W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 40A 62.0 A

上升时间 52 ns 30 ns 20 ns

下降时间 26 ns 10 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 60.0 A - 62.0 A

输入电容 - - 19.8 nF

栅电荷 - - 1.05 µC

输入电容(Ciss) 15000pF @25V(Vds) - 19800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 700 W - 700 W

耗散功率(Max) 700W (Tc) - 700W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.075 Ω - -

阈值电压 4.5 V - -

隔离电压 2.5 kV - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

宽度 25.42 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

重量 0.04 kg - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -