IXTP01N100D
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXTP01N100D中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 4.00 A
通道数 1
漏源极电阻 80 Ω
极性 N-CH
耗散功率 25 W
漏源极电压Vds 1000 V
漏源击穿电压 1000 V
连续漏极电流Ids 100 mA
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 120pF @25VVds
额定功率Max 1.1 W
下降时间 64 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.1W Ta, 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTP01N100D引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTP01N100D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP01N100D | IXYS Semiconductor | TO-220AD N-CH 1000V | 搜索库存 |
替代型号IXTP01N100D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTP01N100D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220 N-CH 1kV 100mA | 当前型号 | TO-220AD N-CH 1000V | 当前型号 |
| 型号： IXTY01N100D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 功能相似 | MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100mA TO-25 | IXTP01N100D和IXTY01N100D的区别 |
| 型号： IXTU01N100D 品牌： IXYS Semiconductor 封装： IPak | 功能相似 | Mosfet n-Ch 1000V 0.1A To-251 | IXTP01N100D和IXTU01N100D的区别 |