制造商型号： | IXTP01N100D |
制造商： | IXYS (艾赛斯.力特) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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IXYS(艾赛斯.力特) IXTP01N100D
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IXTP01N100D 中文资料
数据手册PDF
IXTP01N100D 规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 400 mA
漏源电阻 80 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 25 W
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 64 ns
正向跨导（Min） 100 mS
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 34 ns
典型接通延迟时间 7 ns
外形参数
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 49.734412 | 49.73 |
| 10 | 44.665064 | 446.65 |
| 100 | 36.595895 | 3659.59 |
| 500 | 31.153334 | 15576.67 |
| 1000 | 26.273881 | 26273.88 |
品牌其他型号
IXTP01N100D品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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