IXTP01N100D、IXTY01N100D、IXTU01N100D对比区别

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型号 IXTP01N100D IXTY01N100D IXTU01N100D

描述 TO-220AD N-CH 1000VMOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100mA TO-25Mosfet n-Ch 1000V 0.1A To-251

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-251-3

耗散功率 25 W 1.1 W 1.1W (Ta), 25W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

上升时间 10 ns 10 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 120pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds) 120pF @25V(Vds)

下降时间 64 ns 64 ns 64 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc)

额定电压(DC) 1.00 kV - -

额定电流 4.00 A - -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 80 Ω 80000 mΩ -

极性 N-CH - -

漏源击穿电压 1000 V 1000 V -

连续漏极电流(Ids) 100 mA - -

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W -

封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-251-3

长度 10.66 mm 6.73 mm -

宽度 4.83 mm 6.22 mm -

高度 9.15 mm 2.38 mm -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free