IXFP180N10T2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFP180N10T2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 480W Tc
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 10500pF @25VVds
额定功率Max 480 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFP180N10T2引脚图与封装图
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在线购买IXFP180N10T2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFP180N10T2 | IXYS Semiconductor | N沟道 100V 180A | 搜索库存 |
替代型号IXFP180N10T2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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