IXFP180N10T2、IXTQ200N10T、IXTV200N10T对比区别

高亮显示差异参数

型号 IXFP180N10T2 IXTQ200N10T IXTV200N10T

描述 N沟道 100V 180AN沟道 100V 200ATrans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3

引脚数 3 - -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 480W (Tc) 550W (Tc) 550 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 180A 200A -

输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 480W (Tc) 550W (Tc) 550W (Tc)

通道数 - - 1

漏源极电阻 6 mΩ - 5.5 mΩ

漏源击穿电压 100 V - 100 V

上升时间 37 ns - 31 ns

额定功率(Max) 480 W - 550 W

下降时间 13 ns - 34 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

封装 TO-220-3 TO-3-3 TO-247-3

长度 - - 11 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 15 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free