IXFP180N10T2、IXTH200N10T、IXTV200N10T对比区别

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型号 IXFP180N10T2 IXTH200N10T IXTV200N10T

描述 N沟道 100V 180AN沟道 100V 200ATrans MOSFET N-CH 100V 200A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 3 3 -

通道数 - - 1

漏源极电阻 6 mΩ - 5.5 mΩ

耗散功率 480W (Tc) 550W (Tc) 550 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

上升时间 37 ns 31 ns 31 ns

输入电容(Ciss) 10500pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 480 W 550 W 550 W

下降时间 13 ns 34 ns 34 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 480W (Tc) 550W (Tc) 550W (Tc)

极性 N-CH - -

连续漏极电流(Ids) 180A - -

长度 - - 11 mm

宽度 - - 4.7 mm

高度 - - 15 mm

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free