IXTA75N10P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTA75N10P中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 53 ns
输入电容Ciss 2250pF @25VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTA75N10P引脚图与封装图
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在线购买IXTA75N10P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTA75N10P | IXYS Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 75A TO-263 | 搜索库存 |
替代型号IXTA75N10P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTA75N10P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-252-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-263 | 当前型号 |
| 型号： STB60NF10T4 品牌： 意法半导体 封装： TO-252-3 N-Channel 100V 40A | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | IXTA75N10P和STB60NF10T4的区别 |
| 型号： 2SK3588-01SJ 品牌： 富士电机 封装： | 功能相似 | N-CH 100V 73A | IXTA75N10P和2SK3588-01SJ的区别 |