2SK3588-01SJ、IXTA75N10P、STB60NF10T4对比区别

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型号 2SK3588-01SJ IXTA75N10P STB60NF10T4

描述 N-CH 100V 73AMOSFET N-CH 100V 75A TO-263N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 - 360 W 300W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

上升时间 - 53 ns 56 ns

输入电容(Ciss) - 2250pF @25V(Vds) 4270pF @25V(Vds)

下降时间 - 45 ns 23 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 360W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 80.0 A

通道数 - - 1

极性 N-CH - N-Channel

输入电容 - - 4270 pF

连续漏极电流(Ids) 73A - 40.0 A

额定功率(Max) - - 300 W

封装 - TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.75 mm

宽度 - - 10.4 mm

高度 - - 4.6 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC