极性 N-CH
耗散功率 250W Tc
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 48A
输入电容Ciss 3090pF @25VVds
额定功率Max 250 W
耗散功率Max 250W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXTQ48N20T | IXYS Semiconductor | TO-3P N-CH 200V 48A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXTQ48N20T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 N-CH 200V 48A | 当前型号 | TO-3P N-CH 200V 48A | 当前型号 | |
型号: IXTA48N20T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-252-3 N-CH 200V 48A | 类似代替 | TO-263AA N-CH 200V 48A | IXTQ48N20T和IXTA48N20T的区别 | |
型号: IXTP48N20T 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220-3 | 功能相似 | 通孔 N 通道 200V 48A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB | IXTQ48N20T和IXTP48N20T的区别 | |
型号: IXTH48N20 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 200V 48A 3Pin3+Tab TO-247AD | IXTQ48N20T和IXTH48N20的区别 |