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IXTH48N20、IXTQ48N20T、IXTP48N20T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH48N20 IXTQ48N20T IXTP48N20T

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 48A 3Pin(3+Tab) TO-247ADTO-3P N-CH 200V 48A通孔 N 通道 200V 48A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-220-3

耗散功率 275W (Tc) 250W (Tc) 250 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

上升时间 - - 26 ns

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 3090pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 250 W 250 W

下降时间 - - 28 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 275W (Tc) 250W (Tc) 250W (Tc)

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 48A -

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free