IKD10N60RAATMA2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IKD10N60RAATMA2中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 62 ns
额定功率Max 150 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 150000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IKD10N60RAATMA2引脚图与封装图
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在线购买IKD10N60RAATMA2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IKD10N60RAATMA2 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号IKD10N60RAATMA2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IKD10N60RAATMA2 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 150000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： AIHD10N60RATMA1 品牌： 英飞凌 封装： | 类似代替 | IGBT 晶体管 DISCRETES | IKD10N60RAATMA2和AIHD10N60RATMA1的区别 |
| 型号： RJH60A83RDPD-A0#J2 品牌： 瑞萨电子 封装： TO-252-3 | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin TO-252A T/R | IKD10N60RAATMA2和RJH60A83RDPD-A0#J2的区别 |