IKD10N60RAATMA2、RJH60A83RDPD-A0#J2、AIHD10N60RATMA1对比区别

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型号 IKD10N60RAATMA2 RJH60A83RDPD-A0#J2 AIHD10N60RATMA1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin TO-252A T/RIGBT 晶体管 DISCRETES

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 3 -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 150 W 51 W 150 W

耗散功率(Max) 150000 mW - 150 W

耗散功率 150000 mW - -

反向恢复时间 62 ns 130 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -