AIHD10N60RATMA1、IKD10N60RAATMA2对比区别

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型号 AIHD10N60RATMA1 IKD10N60RAATMA2

描述 IGBT 晶体管 DISCRETESTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 150 W 150 W

耗散功率(Max) 150 W 150000 mW

耗散功率 - 150000 mW

反向恢复时间 - 62 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99