IPI65R310CFDXKSA1、SPI15N60CFDHKSA1、SPI15N60CFD对比区别

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型号 IPI65R310CFDXKSA1 SPI15N60CFDHKSA1 SPI15N60CFD

描述 Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R310CFDXKSA1, 11 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装TO-262 N-CH 600V 13.4AINFINEON  SPI15N60CFD  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.4 A, 650 V, 0.28 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.28 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 104.2W (Tc) 156W (Tc) 156 W

阈值电压 - - 4 V

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 11.4A 13.4A 13.4 A

上升时间 7.5 ns 24 ns 24 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 1820pF @25V(Vds) 1820pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 156 W

下降时间 7 ns 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 104.2W (Tc) 156W (Tc) -

额定功率 104.2 W - -

长度 10.2 mm - 10.2 mm

宽度 4.5 mm - 4.5 mm

高度 9.45 mm - 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17