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IPI60R280C6XKSA1、SPI15N60C3HKSA1、IPI60R280C6对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI60R280C6XKSA1 SPI15N60C3HKSA1 IPI60R280C6

描述 Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R280C6XKSA1, 13.8 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装TO-262 N-CH 600V 15AInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3

额定功率 104 W - -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 104 W 156W (Tc) 104 W

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 13.8A 15A 13.8A

输入电容(Ciss) 950pF @100V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 950pF @100V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 104W (Tc) 156W (Tc) 104 W

上升时间 - 5 ns 11 ns

下降时间 - 5 ns 12 nS

额定功率(Max) - - 104 W

长度 10.36 mm - 10.2 mm

宽度 4.57 mm - 4.5 mm

高度 11.17 mm - 9.45 mm

封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC