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IPP60R520C6

IPP60R520C6

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

N-Channel 600 V 8.1A Tc 29W Tc Through Hole PG-TO220-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220


立创商城:
N沟道 600V 8.1A


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin3+Tab TO-220


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220


IPP60R520C6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率 66W Tc

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 8.1A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 512pF @100VVds

额定功率Max 66 W

下降时间 14 ns

耗散功率Max 66W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPP60R520C6引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPP60R520C6 Infineon 英飞凌 金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 搜索库存
替代型号IPP60R520C6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPP60R520C6

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 600V 8.1A

当前型号

金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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