IPP60R520C6、IPP60R520CP、IPP60R520C6XKSA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPP60R520C6 IPP60R520CP IPP60R520C6XKSA1

描述 金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorTO-220 N-CH 600V 8.1A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 66W (Tc) 66 W 66 W

阈值电压 2.5 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 8.1A 6.80 A 8.1A

上升时间 10 ns 12 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 512pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds) 512pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 66 W 66 W -

下降时间 14 ns 16 ns 14 ns

耗散功率(Max) 66W (Tc) - 66000 mW

漏源极电阻 - 0.52 Ω -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

额定功率 - - 66 W

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 10 mm 10 mm -

宽度 4.4 mm 4.4 mm -

高度 15.65 mm 15.65 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -