IPP60R520C6、IPP60R520C6XKSA1、IPP60R520CP对比区别

高亮显示差异参数

型号 IPP60R520C6 IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520CP

描述 金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorTO-220 N-CH 600V 8.1A的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 66W (Tc) 66 W 66 W

阈值电压 2.5 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 8.1A 8.1A 6.80 A

上升时间 10 ns 10 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 512pF @100V(Vds) 512pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 66 W - 66 W

下降时间 14 ns 14 ns 16 ns

耗散功率(Max) 66W (Tc) 66000 mW -

漏源极电阻 - - 0.52 Ω

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

额定功率 - 66 W -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 10 mm - 10 mm

宽度 4.4 mm - 4.4 mm

高度 15.65 mm - 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17