IRF3717
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF3717中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 2890pF @10VVds
下降时间 6 ns
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
外形尺寸
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
IRF3717引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF3717
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF3717 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-CH 20V 20A | 当前型号 | SOIC N-CH 20V 20A | 当前型号 |
| 型号： IRF3717PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 20V 20A | 功能相似 | INFINEON IRF3717PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 20 V, 4.4 mohm, 10 V, 2 V | IRF3717和IRF3717PBF的区别 |
| 型号： IRF3717TR 品牌： 英飞凌 封装： SOIC N-CH 20V 20A | 功能相似 | SOIC N-CH 20V 20A | IRF3717和IRF3717TR的区别 |