IRF3717、IRF3717PBF、IRF3717TR对比区别
型号 IRF3717 IRF3717PBF IRF3717TR
描述 SOIC N-CH 20V 20AINFINEON IRF3717PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 20 V, 4.4 mohm, 10 V, 2 VSOIC N-CH 20V 20A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
引脚数 - 8 8
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 2.5W (Ta) 2.5 W 2.5W (Ta)
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 20A 20A 20.0 A
上升时间 14 ns 14 ns 14.0 ns
输入电容(Ciss) 2890pF @10V(Vds) 2890pF @10V(Vds) 2890pF @10V(Vds)
下降时间 6 ns 6 ns -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) - - 20.0 V
额定电流 - - 20.0 A
额定功率 - 2.5 W -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.0044 Ω -
阈值电压 - 2 V -
额定功率(Max) - 2.5 W -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.5 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 - Tube Tape
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -