IRF3717、IRF3717TR、IRF3717PBF对比区别

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型号 IRF3717 IRF3717TR IRF3717PBF

描述 SOIC N-CH 20V 20ASOIC N-CH 20V 20AINFINEON  IRF3717PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 20 V, 4.4 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5 W

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 20A 20.0 A 20A

上升时间 14 ns 14.0 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 2890pF @10V(Vds) 2890pF @10V(Vds) 2890pF @10V(Vds)

下降时间 6 ns - 6 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 20.0 A -

额定功率 - - 2.5 W

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 0.0044 Ω

阈值电压 - - 2 V

额定功率(Max) - - 2.5 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17