IRF6678
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6678中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 3 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.8 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 5640pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 8.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DirectFET-MX
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-MX
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
IRF6678引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF6678
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF6678 品牌： Infineon 英飞凌 封装： DirectFET-MX N-CH 30V 30A | 当前型号 | Direct-FET N-CH 30V 30A | 当前型号 |
| 型号： IRF6678TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： DIRECTFET N-Channel 30V 30A | 功能相似 | Direct-FET N-CH 30V 30A | IRF6678和IRF6678TRPBF的区别 |
| 型号： IRF6678TR1 品牌： 英飞凌 封装： DirectFET N-Channel 30V 30A 1.7Ω | 功能相似 | Direct-FET N-CH 30V 30A | IRF6678和IRF6678TR1的区别 |