IRF6678、IRF6678TRPBF、IRF6678TR1对比区别

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型号 IRF6678 IRF6678TRPBF IRF6678TR1

描述 Direct-FET N-CH 30V 30ADirect-FET N-CH 30V 30ADirect-FET N-CH 30V 30A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DirectFET-MX DIRECTFET™ MX Direct-FET

引脚数 - - 7

额定功率 - 89 W -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.8 W 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 30A 30A 30.0 A

输入电容(Ciss) 5640pF @15V(Vds) 5640pF @15V(Vds) 5640pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.8 W 2.8 W 2.8 W

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 30.0 A

漏源极电阻 3 mΩ - 1.70 Ω

产品系列 - - IRF6678

漏源击穿电压 30 V - 30.0 V

上升时间 71 ns - 71 ns

下降时间 8.1 ns - 8.1 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ - -40 ℃

通道数 1 - -

封装 DirectFET-MX DIRECTFET™ MX Direct-FET

长度 6.35 mm - -

宽度 5.05 mm - -

高度 0.7 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC