IRF6678、IRF6678TR1、IRF6678TRPBF对比区别

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型号 IRF6678 IRF6678TR1 IRF6678TRPBF

描述 Direct-FET N-CH 30V 30ADirect-FET N-CH 30V 30ADirect-FET N-CH 30V 30A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DirectFET-MX Direct-FET DIRECTFET™ MX

引脚数 - 7 -

额定功率 - - 89 W

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 2.8 W 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 30A 30.0 A 30A

输入电容(Ciss) 5640pF @15V(Vds) 5640pF @15V(Vds) 5640pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.8 W 2.8 W 2.8 W

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 30.0 A -

漏源极电阻 3 mΩ 1.70 Ω -

产品系列 - IRF6678 -

漏源击穿电压 30 V 30.0 V -

上升时间 71 ns 71 ns -

下降时间 8.1 ns 8.1 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -

通道数 1 - -

封装 DirectFET-MX Direct-FET DIRECTFET™ MX

长度 6.35 mm - -

宽度 5.05 mm - -

高度 0.7 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -