IS61C1024AL-12KLI

RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

静态 RAM，ISSI

**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。

电源：1.8V/3.3V/5V

提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP

提供的配置选择：x8 和 x16

ECC 功能可用于高速异步 SRAM

### SRAM（静态随机存取存储器）

得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

欧时:
### 静态 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ![http://china.rs-online.com/largeimages/L0391731-01.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/L0391731-01.gif ### SRAM（静态随机存取存储器）

贸泽:
静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 12ns 5v Async 静态随机存取存储器

e络盟:
SRAM, 1 Mbit, 128K x 8位, 4.5V 至 5.5V, SOJ, 32 引脚, 12 ns

艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ

安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ

Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ

TME:
Memory; SRAM; 128kx8bit; 5V; 12ns; SOJ32; -40÷85°C

Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 1M-bit 128K x 8 12ns 32-Pin SOJ

Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI  IS61C1024AL-12KLI  IC, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 12 ns Access Time, TTL Interface, 4.5 V to 5.5 V supply, SOJ-32

DeviceMart:
IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ

Win Source:
IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ