IS61C1024AL-12KLI、IS61C1024AL-12KLI-TR、CY7C109D-10VXI对比区别

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型号 IS61C1024AL-12KLI IS61C1024AL-12KLI-TR CY7C109D-10VXI

描述 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 12ns 32Pin SOJ T/RCYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C109D-10VXI  芯片, 存储器, SRAM, 1MB, 并行口, 10NS, 32SOJ

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 SOJ-32 BSOJ-32 SOJ-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V

工作电压 5 V - -

针脚数 32 - 32

位数 8 8 8

存取时间 12 ns 12 ns 10 ns

内存容量 125000 B 1000000 B 125000 B

存取时间(Max) 12 ns 12 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4.5 V - 4.5 V

供电电流 - 40 mA -

时钟频率 - - 100 MHz

长度 21.08 mm - 21.08 mm

宽度 10.29 mm - 0.405 in

高度 3.75 mm - 3.05 mm

封装 SOJ-32 BSOJ-32 SOJ-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Not Recommended for New Design Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 3A991.b.2.b