CY7C109D-10VXI、IS61C1024AL-12KLI、CY7C109D-10VXIT对比区别

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型号 CY7C109D-10VXI IS61C1024AL-12KLI CY7C109D-10VXIT

描述 CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C109D-10VXI  芯片, 存储器, SRAM, 1MB, 并行口, 10NS, 32SOJRAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）CY7C109D 系列 1 Mb (128 K x 8) 5 V 10 ns 静态 RAM - SOJ-32

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 SOJ-32 SOJ-32 SOJ-32

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) -

针脚数 32 32 32

时钟频率 100 MHz - -

位数 8 8 8

存取时间 10 ns 12 ns 10 ns

内存容量 125000 B 125000 B -

存取时间(Max) 10 ns 12 ns 10 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V -

电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V -

工作电压 - 5 V -

长度 21.08 mm 21.08 mm -

宽度 0.405 in 10.29 mm -

高度 3.05 mm 3.75 mm -

封装 SOJ-32 SOJ-32 SOJ-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Design Active

包装方式 Each Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free PB free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

ECCN代码 3A991.b.2.b EAR99 3A991.b.2.b