IXFH24N50
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFH24N50中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 24.0 A
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 33.0 ns
输入电容Ciss 4200pF @25VVds
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
重量 6 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFH24N50引脚图与封装图
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在线购买IXFH24N50
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH24N50 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH24N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号IXFH24N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFH24N50 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 500V 24A 230mΩ | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH24N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
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