IXFH24N50、STW20NM50FD、PHB108NQ03LT,118对比区别

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型号 IXFH24N50 STW20NM50FD PHB108NQ03LT,118

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH24N50  晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW20NM50FD  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 25V 75A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3

额定电压(DC) 500 V 500 V -

额定电流 24.0 A 20.0 A -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.23 Ω 0.25 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 300 W 214 W 187 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 25 V

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 24.0 A 20.0 A -

上升时间 33.0 ns 20 ns 38 ns

输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds) 1375pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 214 W -

下降时间 - 15 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 214W (Tc) 187W (Tc)

额定功率 300 W - -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

长度 - 15.75 mm 10.3 mm

宽度 - 5.15 mm 9.4 mm

高度 - 20.15 mm 4.5 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - -

重量 6 g - -

产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

香港进出口证 - NLR -