IXFH24N50、STW23NM50N、PHB108NQ03LT,118对比区别
型号 IXFH24N50 STW23NM50N PHB108NQ03LT,118
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH24N50 晶体管, MOSFET, HiPerFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 25V 75A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3
引脚数 3 3 -
耗散功率 300 W 125 W 187 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 25 V
上升时间 33.0 ns 19 ns 38 ns
输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 1330pF @50V(Vds) 1375pF @12V(Vds)
下降时间 - 29 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 125W (Tc) 187W (Tc)
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.23 Ω 0.162 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
阈值电压 4 V 3 V -
漏源击穿电压 - 500 V -
额定功率(Max) 300 W 125 W -
额定电压(DC) 500 V - -
额定电流 24.0 A - -
额定功率 300 W - -
连续漏极电流(Ids) 24.0 A - -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
长度 - 15.75 mm 10.3 mm
宽度 - 5.15 mm 9.4 mm
高度 - 20.15 mm 4.5 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
重量 6 g - -
产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -