IS42S16800E-6BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TFBGA

SDRAM Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 166MHz 5.4ns 54-TFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA

贸泽:
DRAM 128M 8Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

Verical:
DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

IS42S16800E-6BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 150 mA

位数 16

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4ns, 6.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 0.8 mm

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS42S16800E-6BLI引脚图与封装图

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替代型号IS42S16800E-6BLI

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