IS42S16800E-6BL、IS42S16800E-6BLI、IS42S16800F-6BL对比区别

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型号 IS42S16800E-6BL IS42S16800E-6BLI IS42S16800F-6BL

描述 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TFBGADRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TFBGASynchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, 0.8MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-54

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 BGA-54 BGA-54 TFBGA-54

供电电流 - 150 mA 120 mA

位数 16 16 16

存取时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 5.4ns, 6.5ns 5.4ns, 6.5ns 5.4ns, 6.5ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

封装 BGA-54 BGA-54 TFBGA-54

长度 - 8 mm -

宽度 - 8 mm -

高度 - 0.8 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99