IS42S16800E-6BLI、IS42S16800F-6BLI、IS45S16800F-6BLA1对比区别

高亮显示差异参数

型号 IS42S16800E-6BLI IS42S16800F-6BLI IS45S16800F-6BLA1

描述 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 8Mx16 3.3V 54Pin TFBGASDRAM, 8M x 16bit, 5.4ns, 并行接口, BGA-54动态随机存取存储器 128M (8Mx16) 166MHz SDR S动态随机存取存储器 3.3v

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54 54

封装 BGA-54 BGA-54 BGA-54

供电电流 150 mA 120 mA 120 mA

针脚数 - 54 -

位数 16 16 16

存取时间 5.4 ns 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 5.4ns, 6.5ns 5.4ns, 6.5ns 6.5ns, 5.4ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

封装 BGA-54 BGA-54 BGA-54

高度 0.8 mm - 0.8 mm

长度 8 mm - -

宽度 8 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 PB free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -