IRF7379

Infineon(英飞凌) 主动器件

SOIC N+P 30V 5.8A/4.3A

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 5.8A，4.3A 2.5W 表面贴装型 8-SO

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

IRF7379中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 5.8A/4.3A

输入电容Ciss 520pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF7379引脚图与封装图

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IRF7379	Infineon 英飞凌	SOIC N+P 30V 5.8A/4.3A	搜索库存

替代型号IRF7379

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IRF7379 品牌： Infineon 英飞凌封装： 8-SOIC N+P	当前型号	SOIC N+P 30V 5.8A/4.3A	当前型号
型号： IRF7379TRPBF 品牌：英飞凌封装： 8-SOIC N-Channel	类似代替	双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 5.8 A, 30 V, 0.038 ohm, 10 V, 1 V	IRF7379和IRF7379TRPBF的区别
型号： 7379 品牌：英飞凌封装：	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 5.8A ID, 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,	IRF7379和7379的区别
型号： RF737 品牌：英飞凌封装：	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 5.8A ID, 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,	IRF7379和RF737的区别