7379、IRF7379、IRF7379PBF对比区别

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型号 7379 IRF7379 IRF7379PBF

描述 Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA,SOIC N+P 30V 5.8A/4.3ASOIC N+P 30V 5.8A/4.3A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SOIC-8 SO-8

引脚数 - - 8

极性 - N+P N-Channel, P-Channel

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 5.8A/4.3A 5.80 A

输入电容(Ciss) - 520pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

额定电流 - - 5.80 A

额定功率 - - 2.5 W

通道数 - - 2

漏源极电阻 - - 75 mΩ

耗散功率 - - 2.5 W

产品系列 - - IRF7379

漏源击穿电压 - - 30 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) - - 2.5 W

封装 - SOIC-8 SO-8

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC