IRF7329TR
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
IRF7329TR中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 9.2A
输入电容Ciss 3450pF @10VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7329TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7329TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7329TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-SOIC P-CH | 当前型号 | SOIC P-CH 12V 9.2A | 当前型号 |
| 型号： IRF7329PBF 品牌： 英飞凌 封装： SOIC P-Channel 12V 9.2A | 类似代替 | INFINEON IRF7329PBF 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, 9.2 A, -12 V, 17 mohm, -4.5 V, -900 mV | IRF7329TR和IRF7329PBF的区别 |
| 型号： IRF7329TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL Dual P-Channel 12V 9.2A | 类似代替 | P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 | IRF7329TR和IRF7329TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7329 品牌： 英飞凌 封装： SOIC Dual P-Channel 12V 9.2A | 功能相似 | SOIC P-CH 12V 9.2A | IRF7329TR和IRF7329的区别 |