IRF7329TR、IRF7329TRPBF对比区别

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型号 IRF7329TR IRF7329TRPBF

描述 SOIC P-CH 12V 9.2AP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

通道数 - 2

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 17 mΩ

极性 P-CH Dual P-Channel

耗散功率 - 2 W

阈值电压 - 0.9 V

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

漏源击穿电压 - 12 V

连续漏极电流(Ids) 9.2A 9.2A

上升时间 - 8.6 ns

输入电容(Ciss) 3450pF @10V(Vds) 3450pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

下降时间 - 260 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

长度 - 5 mm

宽度 - 4 mm

高度 - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free