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IRF7329、IRF7329TR、IRF7329TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7329 IRF7329TR IRF7329TRPBF

描述 SOIC P-CH 12V 9.2ASOIC P-CH 12V 9.2AP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 Dual P-Channel P-CH Dual P-Channel

漏源极电压(Vds) 12.0 V 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 9.20 A 9.2A 9.2A

输入电容(Ciss) - 3450pF @10V(Vds) 3450pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W 2 W

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

漏源极电阻 - - 17 mΩ

耗散功率 - - 2 W

阈值电压 - - 0.9 V

漏源击穿电压 -12.0 V - 12 V

上升时间 - - 8.6 ns

下降时间 - - 260 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2 W

额定电压(DC) -12.0 V - -

额定电流 -9.20 A - -

产品系列 IRF7329 - -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free