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IGB15N60T

IGB15N60T

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Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IGB15N60T  单晶体管, IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263, 3 引脚

Summary of Features:

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Lowest V cesat drop for lower conduction losses
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Low switching losses
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Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V cesat
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Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
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High ruggedness, temperature stable behavior
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Low EMI emissions
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Low gate charge
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Very tight parameter distribution

Benefits:

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Highest efficiency – low conduction and switching losses
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Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
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High device reliability
IGB15N60T中文资料参数规格
技术参数

额定功率 130 W

针脚数 3

耗散功率 130 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 130 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Other hard switching applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IGB15N60T引脚图与封装图
IGB15N60T引脚图

IGB15N60T引脚图

IGB15N60T封装焊盘图

IGB15N60T封装焊盘图

在线购买IGB15N60T
型号 制造商 描述 购买
IGB15N60T Infineon 英飞凌 INFINEON  IGB15N60T  单晶体管, IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263, 3 引脚 搜索库存
替代型号IGB15N60T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： IGB15N60T

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-263-3

当前型号

INFINEON  IGB15N60T  单晶体管, IGBT, 15 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-263, 3 引脚

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